N沟道 vs P沟道
N沟道：导通电阻低，同规格下Rds(on)比P沟道低2-3倍。P沟道：驱动电路简单。
关键参数
Vds：预留30-50%余量。Rds(on)：越低越好，决定导通损耗。Qg：高频应用选<10nC。Vth：3.3V逻辑需Vth<1.5V。品牌：Infineon、ST、HXY(华轩阳)、SLKOR(萨科微)。
MOSFET选型终极指南：N沟道 vs P沟道，增强型 vs 耗尽型
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N沟道：导通电阻低，同规格下Rds(on)比P沟道低2-3倍。P沟道：驱动电路简单。
Vds：预留30-50%余量。Rds(on)：越低越好，决定导通损耗。Qg：高频应用选<10nC。Vth：3.3V逻辑需Vth<1.5V。品牌：Infineon、ST、HXY(华轩阳)、SLKOR(萨科微)。