EEPROM
1Kb~1Mb/100万次/按字节擦写。AT24C02。
NOR Flash
1Mb~256Mb/10万次/按扇区擦除。GD25Q32。
FRAM
4Kb~4Mb/10万亿次！无需擦除写入极快。电表/黑匣子。MB85RC256V。
EEPROM vs FLASH vs FRAM：非易失性存储器怎么选？
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4Kb~4Mb/10万亿次！无需擦除写入极快。电表/黑匣子。MB85RC256V。